ОСИПЬЯН Юрий Андреевич

ОСИПЬЯН Юрий Андреевич (15.2.1931, Москва — 10.9.2008, там же), физик. Акад. РАН (1981), поч. акад. АН РБ (1991), д‑р физико-матем. наук (1971), проф. (1970). Герой Социалистич. Труда (1986). Окончил Моск. ин‑т стали и сплавов (1955), МГУ (1957). В 1955—62 работал в Ин‑те металловедения и физики металлов Центр. НИИ чёрной металлургии, с 1963 — в Ин‑те физики тв. тела РАН (с 1973 дир., с 2002 науч. рук.), одновр. с 1964 зав. каф. физики тв. тела Моск. физико-техн. ин‑та и в 1988—2001 вице-през. РАН. Науч. труды посвящены физике тв. тела, высокотемпературной сверхпроводимости. О. открыт фотопластич. эффект в полупроводниках, исследованы электронный спиновый резонанс на дислокациях, инверсия типа проводимости полупроводников при введении дислокаций, влияние дефектов на кинетику бездиффузионных мартенситных переходов в металлах, мех. св‑ва нитевидных кристаллов, люминесценция и др. При участии О. разработана технология выращивания совершенных и массивных кристаллов фуллерита, изучены спектры фотолюминесценции, поглощения и возбуждения кристаллов фуллерита С₆₀. Автор ок. 250 науч. трудов. Гл. редактор ж. “Квант” (с 1985). През. Междунар. союза теоретич. и прикладной физики (1990—94). Деп. ВС СССР 12‑го созыва. Лауреат пр. им. П.Н.Лебедева (1984). Награждён орд. Ленина (1981, 1986), Труд. Кр. Знамени (1971, 1975), “За заслуги перед Отечеством” 2‑й ст. (1999), Симона Боливара (Колумбия, 1990).

Соч.: Электронные свойства дислокаций в полупроводниках. М., 2000 (соавт.).

Ю.А.Лебедев